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1N4736C

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  • 制造商
  • EIC
  • 制造商全稱
  • EIC discrete Semiconductors
  • 功能描述
  • SILICON ZENER DIODES
1N4736C 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4736AUR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4736A-TR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4736ATR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4736A-TP 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41G 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4736A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4736P/TR8 1N4736PE3/TR12 1N4736PE3/TR8 1N4737 G 1N4737A 1N4737A BK 1N4737A G 1N4737A TR 1N4737A,113 1N4737A,133 1N4737A_S00Z 1N4737A_T50A 1N4737A_T50R 1N4737ADO41E3 1N4737AE3/TR13 1N4737AP/TR12 1N4737AP/TR8 1N4737APE3/TR12
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