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CJD31CTR13CENTRAL

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CJD31CTR13CENTRAL 技術參數
  • CJD31C TR13 功能描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:1.56W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD200 TR13 功能描述:TRANS NPN 40V 5A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.8V @ 1A,5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):45 @ 2A,1V 功率 - 最大值:1.4W 頻率 - 躍遷:65MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD13003 TR13 功能描述:TRANS NPN 700V 1.5A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 500mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):5 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.56W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD127 TR13 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 80mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD122 TR13 功能描述:TRANS NPN 100V 8A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 80mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD5E88TBU CJD5E88TEI CJD5E88TGBL CJD5E88TGBU CJD5E88TGEI CJD5E88TGGR CJD5E88TGIG CJD5E88TGIW CJD5E88TGOR CJD5E88TGR CJD5E88TGRD CJD5E88TGWH CJD5E88TGYL CJD5E88TOR CJD5E88TRD CJD688TGAW CJD688TGBL CJD688TGEI
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