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CLF1G0035-50-EVB

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CLF1G0035-50-EVB 技術參數

CLF1G0035-50,112 功能描述:FET RF 150V 3GHZ SOT467C 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:HEMT 頻率:3GHz 增益:11.5dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:50W 電壓 - 額定:150V 封裝/外殼:SOT467C 供應商器件封裝:SOT467C 標準包裝:20 CLF1G0035-100PU 功能描述:IC RF PWR AMP 100W SOT1228A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:HEMT 頻率:3GHz 增益:14dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:150V 封裝/外殼:SOT-1228A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:20 CLF1G0035-100,112 功能描述:FET RF 150V 3GHZ SOT467C 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:HEMT 頻率:3GHz 增益:12dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:330mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:150V 封裝/外殼:SOT467C 供應商器件封裝:SOT467C 標準包裝:20 CLF12577NIT-6R8N-D 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 8.5A 13 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:6.8μH 容差:±30% 額定電流:8.5A 電流 - 飽和值:7.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:13 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.492" 寬（12.80mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 CLF12577NIT-680M-D 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 108 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:CLF-NI-D 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:2.65A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:108 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.492" 寬（12.80mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 CLF-41-70010 CLF-42-70010 CLF5030NIT-100M-D CLF5030NIT-101M-D CLF5030NIT-150M-D CLF5030NIT-151M-D CLF5030NIT-1R0N-D CLF5030NIT-1R5N-D CLF5030NIT-220M-D CLF5030NIT-221M-D CLF5030NIT-2R2N-D CLF5030NIT-330M-D CLF5030NIT-331M-D CLF5030NIT-3R3N-D CLF5030NIT-470M-D CLF5030NIT-471M-D CLF5030NIT-4R7N-D CLF5030NIT-680M-D