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CMKTSZ8326

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CMKTSZ8326 技術參數
  • CMKTC825E BK 功能描述:Zener Diode 6.2V 325mW ±5% Surface Mount SOT-363 制造商:central semiconductor corp 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:325mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:5,000 CMKTC825A TR 功能描述:Zener Diode 6.2V 325mW ±5% Surface Mount SOT-363 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:上次購買時間 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:325mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 CMKT5089M10 TR 功能描述:TRANS 2NPN 25V 0.05A SOT363 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):400 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 CMKT5088 TR 功能描述:TRANS 2NPN 30V 0.05A SOT-363 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 CMKT5087 TR 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.05A SOT-363 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:2 PNP(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:40MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 CMLBXPK111-1RLS4-40351-225-V CMLBXPK11-1RLS4-36933-150-V CMLD2004DO TR CMLD2004S TR CMLD4448 TR CMLD4448DOG TR CMLD6001 TR CMLD6001DO TR CMLD6263 TR CMLD6263C TR CMLD6263S BK LEAD FREE CMLD6263S BK TIN/LEAD CMLD6263S TR CMLD6263S TR TIN/LEAD CMLDM3737 TR CMLDM3757 TR CMLDM5757 TR CMLDM7002AG TR
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