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CMLDM7002ATR

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CMLDM7002ATR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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CMLDM7002ATR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CMLDM7002ATR 技術(shù)參數(shù)

CMLDM7002AJ TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7002AG TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM5757 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:430mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:175pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM3757 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:540mA，430mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 540mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM3737 TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:540mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 540mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8120 TR CMLDM8120G TR CMLHPB111-1REC4-34606-3-V CMLHPB111-1RLS4-37029-250 CMLHPB111-1RLS4-40526-300 CMLHPB11-1REC4-34606-2-V CMLHPB11-1REC4-40599-225-V CMLHPB11-1RLS4-37029-200 CMLHPB11-1RLS4-40599-175-V CMLHPB11-1RLS4-40599-200-V CMLHPB11-1RLS4-52-125.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200