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CMLDM7484TR

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  • CMLDM7484TR
    CMLDM7484TR

    CMLDM7484TR

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • CENTRAL

  • SOT-563

  • 新年份

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  • 1
CMLDM7484TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
CMLDM7484TR 技術參數
  • CMLDM7484 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):450mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):460 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7120G TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):220pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7003TG TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):280mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7003T TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):280mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7003G TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):280mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLHPB11-1REC4-40599-225-V CMLHPB11-1RLS4-37029-200 CMLHPB11-1RLS4-40599-175-V CMLHPB11-1RLS4-40599-200-V CMLHPB11-1RLS4-52-125.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225
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