欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > C字母型號搜索 >

CMLDM8120GTR-LFCENTRAL

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " CMLDM8120GTR-LFCENTRAL " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CMLDM8120GTR-LFCENTRAL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
CMLDM8120GTR-LFCENTRAL 技術參數
  • CMLDM8120G TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 950mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.56nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):200pF @ 16V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8120 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 950mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.56nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):200pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8005 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):650mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 350mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8002AG TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):280mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):70pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7585 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):650mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):230 毫歐 @ 600mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225 CMLHPK111-38622-250-V CMLHPK111-38646-250-V CMLHPK11-1REC4-33767-200 CMLHPK11-1REC4-35051-200 CMLHPK11-1REC5-33230-175
配單專家

在采購CMLDM8120GTR-LFCENTRAL進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買CMLDM8120GTR-LFCENTRAL產品風險,建議您在購買CMLDM8120GTR-LFCENTRAL相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的CMLDM8120GTR-LFCENTRAL信息由會員自行提供,CMLDM8120GTR-LFCENTRAL內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 宝兴县| 章丘市| 天水市| 确山县| 镇原县| 乌兰浩特市| 伊吾县| 碌曲县| 蒙城县| 临海市| 青田县| 聂荣县| 梨树县| 张北县| 丹巴县| 汝城县| 洛川县| 确山县| 梧州市| 牟定县| 芒康县| 木里| 保康县| 洛浦县| 辽中县| 虎林市| 沧州市| 宝坻区| 宁南县| 扬州市| 红河县| 繁峙县| 龙南县| 当涂县| 漳州市| 太和县| 休宁县| 化德县| 新津县| 宁阳县| 施秉县|