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CMLDM8120TR

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  • CMLDM8120TRPB-FREE
    CMLDM8120TRPB-FREE

    CMLDM8120TRPB-FREE

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業執照

  • 8660

  • Central Semi

  • SOT563

  • 1728+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • CMLDM8120TR
    CMLDM8120TR

    CMLDM8120TR

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:雷精云

    電話:18988598856

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 3997

  • Central

  • SOT-563

  • 2219+

  • -
  • 十年專營,供應原裝正品!熱賣現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
CMLDM8120TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
CMLDM8120TR 技術參數
  • CMLDM8120G TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 950mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.56nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):200pF @ 16V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8120 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 950mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.56nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):200pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8005 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):650mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 350mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8002AG TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):280mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):70pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7585 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):650mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):230 毫歐 @ 600mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225 CMLHPK111-38622-250-V CMLHPK111-38646-250-V CMLHPK11-1REC4-33767-200 CMLHPK11-1REC4-35051-200 CMLHPK11-1REC5-33230-175
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