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CMPT992ECENTRAL

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CMPT992ECENTRAL 技術參數
  • CMPT930 TR 功能描述:TRANS NPN 45V 30MA SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10μA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 CMPT918 TR 功能描述:RF Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:600MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):6dB @ 60MHz 增益:11dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 3mA,1V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 CMPT8599 TR 功能描述:TRANS PNP 80V 0.5A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 CMPT8099 TR 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 CMPT6517 TR 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 CMPTA64 TR CMPTA92 TR CMPTA92E TR CMPTA94 TR CMPTA96 TR CMPTH81 TR CMPWR025R CMPWR101R CMPWR150SF CMPWR280TN CMPWR330SF CMPZ5221B BK CMPZ5221B TR CMPZ5222B TR CMPZ5223B TR CMPZ5224B TR CMPZ5225B BK CMPZ5225B TR
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