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CP6502

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CP6502 技術參數
  • CP647-PMD19K100-WS 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 100V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.8V @ 60mA,15A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):800 @ 15A,3V 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 CP647-PMD19K100-WN 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 100V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.8V @ 60mA,15A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):800 @ 15A,3V 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 CP647-PMD19K100-CT 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 100V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.8V @ 60mA,15A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):800 @ 15A,3V 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:36 CP647-MJ11015-WR 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 120V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 300mA,30A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 30A,5V 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 CP647-MJ11015-WN 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 120V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 300mA,30A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 30A,5V 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 CP-66 BK CP-66 GN CP-66 GY CP-66 NT CP-66 RD CP-66 WE CP6629-000 CP6641-000 CP6770-EU CP6770-NA CP6893-000 CP-69 NT CP-69 WE CP6990-000 CP6990-EU CP6990-NA CP-699254-5-X CP6995-000
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