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CP65206

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CP65206 技術參數

CP647-PMD19K100-WS 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 100V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.8V @ 60mA，15A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:800 @ 15A，3V 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 CP647-PMD19K100-WN 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 100V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.8V @ 60mA，15A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:800 @ 15A，3V 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 CP647-PMD19K100-CT 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 100V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.8V @ 60mA，15A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:800 @ 15A，3V 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:36 CP647-MJ11015-WR 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 120V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 300mA，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 30A，5V 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 CP647-MJ11015-WN 功能描述:TRANS PNP DARL 30A 120V DIE 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 300mA，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 30A，5V 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 CP-66 BK CP-66 GN CP-66 GY CP-66 NT CP-66 RD CP-66 WE CP6629-000 CP6641-000 CP6770-EU CP6770-NA CP6893-000 CP-69 NT CP-69 WE CP6990-000 CP6990-EU CP6990-NA CP-699254-5-X CP6995-000