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CPH3324LE

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CPH3324LE PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CPH3324LE 技術參數

CPH3249-TL-E 功能描述:TRANS NPN 350V 1A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3245-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:260mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:420MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3240-TL-E 功能描述:TRANS NPN 100V 1A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 40mA，400mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3239-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:130mV @ 40mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:330MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3238-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:130mV @ 50mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:290MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3355-TL-H CPH3355-TL-W CPH3356-TL-H CPH3356-TL-W CPH3360-TL-H CPH3360-TL-W CPH3362-TL-W CPH3427-TL-E CPH3430-TL-E CPH3442-TL-E CPH3448-TL-H CPH3448-TL-W CPH3455-TL-H CPH3455-TL-W CPH3456-TL-H CPH3456-TL-W CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W