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CPH3348-TL-H

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    CPH3348-TL-H

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

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  • CPH3348-TL-H
    CPH3348-TL-H

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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

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  • SANYO

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CPH3348-TL-H 技術參數
  • CPH3348-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):405pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3341-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1115pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3340-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 2.5A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1875pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3327-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.6A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):600mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.45 歐姆 @ 300mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):245pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3324-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):530 毫歐 @ 600mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):265pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3360-TL-W CPH3362-TL-W CPH3427-TL-E CPH3430-TL-E CPH3442-TL-E CPH3448-TL-H CPH3448-TL-W CPH3455-TL-H CPH3455-TL-W CPH3456-TL-H CPH3456-TL-W CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W CPH3462-TL-W CPH38W23FGE3SK9X
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