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CPV363MM

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CPV363MM
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
IR
MODULE
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

1/1頁 40條/頁共5條
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您是不是要找： CPV364M4F CPV364M4U CP-V413PS CP-V413WT CPV-E20/10/5-1S-6P CPV-E25/13/11-1S-8P CPV-E25/13/7-1S-10P-Z CPV-P14/8-1S-4SPD-Z CPV-P14/8-1S-6PD-Z

CPV363MM PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CPV363MM PDF下載

制造商
IRF
制造商全稱
International Rectifier
功能描述
IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated Fast IGBT

CPV363MM 技術參數

CPV363M4U 功能描述:IGBT Module Three Phase Inverter 600V 13A 36W Through Hole IMS-2 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:13A 功率 - 最大值:36W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，13A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.1nF @ 30V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:通孔封裝/外殼:19-SIP（13 引線），IMS-2 供應商器件封裝:IMS-2 標準包裝:160 CPV363M4K 功能描述:IGBT Module Three Phase Inverter 600V 11A 36W Through Hole IMS-2 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:11A 功率 - 最大值:36W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，11A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:0.74nF @ 30V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:通孔封裝/外殼:19-SIP（13 引線），IMS-2 供應商器件封裝:IMS-2 標準包裝:160 CPV363M4F 功能描述:IGBT Module Three Phase Inverter 600V 16A 36W Through Hole IMS-2 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:- 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:16A 功率 - 最大值:36W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.63V @ 15V，16A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.1nF @ 30V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:通孔封裝/外殼:19-SIP（13 引線），IMS-2 供應商器件封裝:IMS-2 標準包裝:84 CPV362M4U 功能描述:IGBT Module Three Phase Inverter 600V 7.2A 23W Through Hole IMS-2 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7.2A 功率 - 最大值:23W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，7.2A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:0.53nF @ 30V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:通孔封裝/外殼:19-SIP（13 引線），IMS-2 供應商器件封裝:IMS-2 標準包裝:160 CPV362M4K 功能描述:IGBT Module Three Phase Inverter 600V 5.7A 23W Through Hole IMS-2 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5.7A 功率 - 最大值:23W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.93V @ 15V，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:0.45nF @ 30V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:通孔封裝/外殼:19-SIP（13 引線），IMS-2 供應商器件封裝:IMS-2 標準包裝:160 CPV-P14/8-2S-4SPD-Z CPV-P14/8-2S-6PDL-Z CPV-P14/8-2S-6PD-Z CPV-P18/11-1S-6PDL CPV-P18/11-1S-6PD-Z CPV-P18/11-2S-6PD-Z CPV-P18/11-3S-6PD-Z CPV-P22/13-1S-6PDL-Z CPV-P22/13-1S-6PD-Z CPV-P22/13-3S-6PD-Z CPV-P26/16-1S-6PDL-Z CPV-P26/16-1S-6PD-Z CPV-P26/16-2S-6PDL-Z CPV-P26/16-3S-6PDL-Z CPV-P26/16-3S-6PD-Z CPV-P30/19-1S-6PDL-Z CPV-P30/19-1S-6PD-Z CPV-PM50/39-1S-14PD-C