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CRYEB

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CRYEB
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4000
原廠品牌
標(biāo)準(zhǔn)封裝
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

CRYEB
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4000
NULL
標(biāo)準(zhǔn)封裝
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

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CRYEB 技術(shù)參數(shù)

CRY91(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 9.1V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:9.1V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRY82(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 8.2V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:8.2V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CRY75(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 7.5V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:7.5V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CRY68(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 6.8V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CRY62(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.2V 容差:±9.68% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ16(TE85L,Q,M) CRZ18(TE85L,Q) CRZ18(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ22(TE85L,Q) CRZ22(TE85L,Q,M) CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F