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CRYSTAL42.000MHZ

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CRYSTAL42.000MHZ
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
SMT
SMD
07+
-
原裝現(xiàn)貨/特價

CRYSTAL42.000MHZ
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
36200
SMT
SMD
18+
-
原裝正品，歡迎訂購

CRYSTAL42.000MHZ
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
36200
SMT
SMD
18+
-
原裝正品，歡迎訂購

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CRYSTAL42.000MHZ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

CRYSTAL42.000MHZ 技術(shù)參數(shù)

CRY91(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 9.1V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRY82(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 8.2V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CRY75(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 7.5V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CRY68(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 6.8V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CRY62(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±9.68% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ16(TE85L,Q,M) CRZ18(TE85L,Q) CRZ18(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ22(TE85L,Q) CRZ22(TE85L,Q,M) CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F