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CRZ0512W

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CRZ0512WC
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
8913
TDK
DIP
07+
-
絕對公司原裝現貨

CRZ0512WC
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
TDK
DIP-5
98
-
假一罰十，百分百原裝正品

CRZ0512WC
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9800
TDK
DIP-5
18+
-
優勢庫存，原裝現貨

CRZ0512W
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
6450
TDK
DIP5
1316+
-
原裝正品，現貨庫存!400-800-03...

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CRZ0512W PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CRZ0512W 技術參數

CRY91(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 9.1V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標準包裝:3,000 CRY82(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 8.2V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標準包裝:1 CRY75(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 7.5V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標準包裝:1 CRY68(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 6.8V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標準包裝:1 CRY62(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±9.68% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標準包裝:3,000 CRZ16(TE85L,Q,M) CRZ18(TE85L,Q) CRZ18(TE85L,Q,M) CRZ20(TE85L,Q,M) CRZ22(TE85L,Q) CRZ22(TE85L,Q,M) CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F