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CRZ13(TE85L，Q)

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

CRZ13(TE85L,Q)
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TOSHIBA/東芝
SOD-123F
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條
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CRZ13(TE85L，Q) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

CRZ13(TE85L，Q) PDF下載

功能描述
穩(wěn)壓二極管 Diode Zener 13V .7W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

CRZ13(TE85L，Q) 技術(shù)參數(shù)

CRZ12(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ12(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 12V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ11(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ11(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 11V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ10(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F CS00 CS00094AC-J5-DCC-32.7707 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707