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CURMT101-HF

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型號
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封裝
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價格
說明
操作

CURMT101-HF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Comchip
SOD-123H
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現貨！

CURMT101-HF
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
39245
Comchip
SOD-123H
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CURMT101-HF
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
256
Comchip Technology
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

CURMT101-HF
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現貨，代找緊缺料

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功能描述
整流器 VR=50V IO=1A
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

CURMT101-HF 技術參數

CURM103-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A MINISMA 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123T 供應商器件封裝:迷你型 SMA/SOD-123 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 CURC307-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURC304-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURC303-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURB207-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURN104-HF CURN105-HF CUS01(TE85L,Q,M) CUS02(TE85L,Q,M) CUS03(TE85L,Q,M) CUS04(TE85L,Q,M) CUS05(TE85L,Q,M) CUS05F30,H3F CUS05F30,H3F(T CUS05F40,H3F CUS05S30,H3F CUS05S40,H3F CUS06(TE85L,Q,M) CUS08F30,H3F CUS10F30,H3F CUS10F40,H3F CUS10I30A(TE85L,QM CUS10I40A(TE85L,QM