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CY7C1148V18-333BZI

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CY7C1148V18-333BZI 技術參數

CY7C1148KV18-450BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1148KV18-400BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1148KV18-400BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 440MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C11481KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線）電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) CY7C11481KV18-400BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mb x 18 400 MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C11651KV18-400BZC CY7C11651KV18-400BZXC CY7C1165KV18-400BZC CY7C1165KV18-400BZXC CY7C1165KV18-550BZC CY7C1165KV18-550BZXC CY7C1165V18-400BZXC CY7C11681KV18-400BZC CY7C11681KV18-400BZXC CY7C11681KV18-450BZC CY7C11681KV18-450BZXC CY7C1168KV18-400BZC CY7C1168KV18-400BZXC CY7C1168KV18-450BZC CY7C1168KV18-450BZXC CY7C1168KV18-550BZXC CY7C1168V18-375BZC CY7C1168V18-375BZXC