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CY7C1312BV18200BZI

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  • 制造商
  • Cypress Semiconductor
  • 功能描述
CY7C1312BV18200BZI 技術參數
  • CY7C1312BV18-200BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1312BV18-167BZI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1312BV18-167BZCT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1312BV18-167BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C131-25NXCT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 5V 1Kx8 Dual Port 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1312KV18-250BZC CY7C1312KV18-250BZCT CY7C1312KV18-250BZI CY7C1312KV18-250BZXC CY7C1312KV18-250BZXCT CY7C1312KV18-250BZXI CY7C1312KV18-300BZC CY7C1312KV18-300BZXC CY7C1312KV18-300BZXCT CY7C1312KV18-300BZXI CY7C1312KV18-333BZC CY7C1312LV18-250BZXC CY7C1312LV18-300BZXI CY7C1312SV18-167BZC CY7C1312SV18-250BZC CY7C1312TV18-167BZC CY7C1312TV18-250BZC CY7C1313BV18-167BZC
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