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CY7C1312DC

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制造商
Cypress Semiconductor
功能描述

CY7C1312DC 技術(shù)參數(shù)

CY7C1312CV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V QDR II (2-Word Burst) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1312CV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 2-Word RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1312CV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1312CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1312CV18-167BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1312KV18-300BZXI CY7C1312KV18-333BZC CY7C1312LV18-250BZXC CY7C1312LV18-300BZXI CY7C1312SV18-167BZC CY7C1312SV18-250BZC CY7C1312TV18-167BZC CY7C1312TV18-250BZC CY7C1313BV18-167BZC CY7C1313BV18-167BZCT CY7C1313BV18-200BZC CY7C1313BV18-250BZC CY7C1313CV18-167BZC CY7C1313CV18-200BZC CY7C1313CV18-200BZXI CY7C1313CV18-250BZC CY7C1313CV18-250BZI CY7C1313KV18-250BZC