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CY7C1313CV18-250BZXI

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CY7C1313CV18-250BZXI 技術參數

CY7C1313CV18-250BZI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V QDR II (4-Word Burst) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1313CV18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1313CV18-200BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V QDR-II 靜態隨機存取存儲器 (4-WORD BURST) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1313CV18-200BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1313CV18-167BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1314BV18-167BZC CY7C1314BV18-167BZI CY7C1314BV18-200BZC CY7C1314BV18-250BZC CY7C1314BV18-250BZXC CY7C1314CV18-167BZC CY7C1314CV18-200BZC CY7C1314CV18-200BZI CY7C1314CV18-250BZC CY7C1314JV18-250BZXC CY7C1314KV18-250BZC CY7C1314KV18-250BZCT CY7C1314KV18-250BZI CY7C1314KV18-250BZXC CY7C1314KV18-250BZXCT CY7C1314KV18-250BZXI CY7C1314KV18-300BZXC CY7C1314KV18-333BZC