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CY7C1393KV18-250BZCYPRESS

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CY7C1393KV18-250BZCYPRESS 技術(shù)參數(shù)

CY7C1393JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1393CV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1393BV18-278BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1393BV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V IND DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1393BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1399B-15VC CY7C1399B-15VXC CY7C1399B-15VXI CY7C1399B-15VXIT CY7C1399B-15ZC CY7C1399B-15ZXC CY7C1399B-15ZXI CY7C1399B-15ZXIT CY7C1399BL-12ZXC CY7C1399BL-12ZXCT CY7C1399BN-12VXC CY7C1399BN-12VXCT CY7C1399BN-12VXI CY7C1399BN-12VXIT CY7C1399BN-12ZXC CY7C1399BN-12ZXCT CY7C1399BN-15VXA CY7C1399BN-15VXAT