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CY7C1423BV18-250BZXI

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CY7C1423BV18-250BZXI 技術參數

CY7C1423BV18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II SIO Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1423AV18-267BZXCT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx18 DDR-II SIO Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1423AV18-267BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II SIO Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1423AV18-267BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx18 DDR II SIO Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1423AV18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx18 Burst 2 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1423SV18-250BZC CY7C1423TV18-267BZC CY7C1423TV18-267BZXC CY7C1424AV18-250BZC CY7C1424AV18-250BZCT CY7C1424KV18-250BZC CY7C1424KV18-250BZCT CY7C1424KV18-333BZC CY7C1424TV18-250BZC CY7C14251KV18-250BZC CY7C14251KV18-250BZI CY7C1425AV18-167BZXC CY7C1425AV18-200BZC CY7C1425AV18-200BZXC CY7C1425AV18-250BZXC CY7C1425AV18-300BZXC CY7C1425BV18-200BZC CY7C1425JV18-250BZC