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CY7C1514V18-250BZCT

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CY7C1514V18-250BZCT 技術參數

CY7C1514V18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1514V18-200BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1514V18-200BZXC 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ CY7C1514V18-200BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1514V18-167BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1515KV18-250BZC CY7C1515KV18-250BZI CY7C1515KV18-250BZXC CY7C1515KV18-250BZXI CY7C1515KV18-300BZC CY7C1515KV18-300BZCT CY7C1515KV18-300BZI CY7C1515KV18-300BZXC CY7C1515KV18-300BZXI CY7C1515KV18-333BZC CY7C1515KV18-333BZI CY7C1515KV18-333BZXC CY7C1515KV18-333BZXI CY7C1515SV18-167BZC CY7C1515SV18-250BZC CY7C1515TV18-200BZC CY7C1515V18-167BZC CY7C1515V18-167BZXI