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CY7C1526KV18-333BZC

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CY7C1526KV18-333BZC 技術參數
  • CY7C1526KV18-300BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 300MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1525V18-250BZXC 功能描述:IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY7C1525V18-200BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR II 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1525V18-200BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR II 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1525KV18-333BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 333MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1545KV18-450BZC CY7C1545KV18-450BZXI CY7C1545V18-333BZC CY7C1545V18-375BZC CY7C1548KV18-400BZC CY7C1548KV18-400BZI CY7C1548KV18-400BZXC CY7C1548KV18-450BZC CY7C1548KV18-450BZI CY7C1550KV18-400BZC CY7C1550KV18-400BZXC CY7C1550KV18-400BZXI CY7C1550KV18-450BZC CY7C1550KV18-450BZXC CY7C1550KV18-450BZXI CY7C1550V18-375BZC CY7C1562XV18-366BZC CY7C1562XV18-366BZXC
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