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DCPM24S9-1W

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DCPM24S9-1W PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DCPM24S9-1W 技術參數(shù)

DCPL-WB-00D3 功能描述:RF Directional Coupler W-CDMA 824MHz ~ 2.17GHz 37dB 8-UFBGA, FCBGA 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效耦合器類型:雙路頻帶，單路頻率:824MHz ~ 2.17GHz 耦合系數(shù):37dB 應用:W-CDMA 插入損耗:0.2dB 功率 - 最大值:- 隔離:- 回波損耗:15dB 封裝/外殼:8-UFBGA，F(xiàn)CBGA 供應商器件封裝:8-覆晶標準包裝:1 DCP69A-16-13 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 DCP69A-13 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 DCP69-25-13 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 DCP69-16-13 功能描述:TRANS PNP 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 DCP-RJ5ST-F DCP-RJ5ST-RD DCP-RJ5ST-SD DCP-RJ5T-F DCP-RJ5T-RD DCP-RJ5T-SD DCP-RJ6B-F DCP-RJ6B-RD DCP-RJ6B-SD DCP-RJ6SB-F DCP-RJ6SB-RD DCP-RJ6SB-SD DCP-RJ6ST-F DCP-RJ6ST-RD DCP-RJ6ST-SD DCP-RJ6T-F DCP-RJ6T-RD DCP-RJ6T-SD