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DDTA144VKA

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制造商
DIODES
制造商全稱
Diodes Incorporated
功能描述
PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SC-59 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

DDTA144VKA 技術(shù)參數(shù)

DDTA144VE-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:33 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 DDTA144VCA-7-F 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:33 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DDTA144VCA-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:33 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 DDTA144TE-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 250μA，2.5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 DDTA144TCA-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 250μA，2.5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 DDTA144WUA-7-F DDTB113EC-7-F DDTB113EU-7-F DDTB113ZC-7-F DDTB113ZU-7-F DDTB114EC-7-F DDTB114EU-7-F DDTB114GC-7-F DDTB114GU-7-F DDTB114TC-7-F DDTB114TU-7-F DDTB122JC-7-F DDTB122JU-7-F DDTB122LC-7 DDTB122LC-7-F DDTB122LU-7 DDTB122LU-7-F DDTB122TC-7