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DEIF03-SIM01

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DEIF03-SIM01 技術參數
  • DEIC421 功能描述:RF MOSFET DRIVER 20 AMP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 DEHR33F821KA3B 功能描述:820pF 3150V(3.15kV) 陶瓷電容器 R 徑向,圓盤 0.472" 直徑(12.00mm) 制造商:murata electronics north america 系列:DEH 包裝:散裝 零件狀態:有效 電容:820pF 容差:±10% 電壓 - 額定:3150V(3.15kV) 溫度系數:R 安裝類型:通孔 工作溫度:-25°C ~ 125°C 應用:通用 等級:- 封裝/外殼:徑向,圓盤 大小/尺寸:0.472" 直徑(12.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.591"(15.00mm) 厚度(最大值):- 引線間距:0.295"(7.50mm) 特性:高電壓,低耗散因子 引線形式:成型引線 標準包裝:200 DEHR33F681KA3B 功能描述:680pF 3150V(3.15kV) 陶瓷電容器 R 徑向,圓盤 0.433" 直徑(11.00mm) 制造商:murata electronics north america 系列:DEH 包裝:散裝 零件狀態:有效 電容:680pF 容差:±10% 電壓 - 額定:3150V(3.15kV) 溫度系數:R 安裝類型:通孔 工作溫度:-25°C ~ 125°C 應用:通用 等級:- 封裝/外殼:徑向,圓盤 大小/尺寸:0.433" 直徑(11.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.551"(14.00mm) 厚度(最大值):- 引線間距:0.295"(7.50mm) 特性:高電壓,低耗散因子 引線形式:成型引線 標準包裝:250 DEHR33F561KA3B 功能描述:560pF 3150V(3.15kV) 陶瓷電容器 R 徑向,圓盤 0.394" 直徑(10.00mm) 制造商:murata electronics north america 系列:DEH 包裝:散裝 零件狀態:有效 電容:560pF 容差:±10% 電壓 - 額定:3150V(3.15kV) 溫度系數:R 安裝類型:通孔 工作溫度:-25°C ~ 125°C 應用:通用 等級:- 封裝/外殼:徑向,圓盤 大小/尺寸:0.394" 直徑(10.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.512"(13.00mm) 厚度(最大值):- 引線間距:0.295"(7.50mm) 特性:高電壓,低耗散因子 引線形式:成型引線 標準包裝:250 DEHR33F471KN3A 功能描述:470pF 3150V(3.15kV) 陶瓷電容器 R 徑向,圓盤 0.394" 直徑(10.00mm) 制造商:murata electronics north america 系列:DEH 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電容:470pF 容差:±10% 電壓 - 額定:3150V(3.15kV) 溫度系數:R 安裝類型:通孔 工作溫度:-25°C ~ 125°C 應用:通用 等級:- 封裝/外殼:徑向,圓盤 大小/尺寸:0.394" 直徑(10.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.512"(13.00mm) 厚度(最大值):- 引線間距:0.295"(7.50mm) 特性:高電壓,低耗散因子 引線形式:成型引線 標準包裝:1 DEJE3E2332ZB3B DEJE3E2332ZN2A DEJE3E2332ZN3A DEJE3E2472ZA3B DEJE3E2472ZB3B DEJE3E2472ZN2A DEJE3E2472ZN3A DEJF3E2103ZA3B DEJF3E2103ZB3B DEJF3E2103ZN2A DEJF3E2103ZN3A DEJF3E2472ZA3B DEJF3E2472ZB3B DEJF3E2472ZN2A DEJF3E2472ZN3A DEJK9S4-1AWN DEK9P DEK9PUK87
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