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DI9435CT

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DI9435CT 技術參數
  • DI9430T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 5.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1430pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,鷗翼型 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:2,500 DI2220V301R-10 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:300nH 容差:±10% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):10 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2220(5650 公制) 大小/尺寸:0.220" 長 x 0.200" 寬(5.59mm x 5.08mm) 高度 - 安裝(最大值):0.152"(3.86mm) 標準包裝:1 DI2220V301R-00 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:300nH 容差:±10% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):10 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.220" 長 x 0.200" 寬(5.59mm x 5.08mm) 高度 - 安裝(最大值):0.142"(3.60mm) 標準包裝:1 DHSF44G272ZT2B 功能描述:CAP CER 2700PF 40KV Z5U DISK 制造商:murata electronics north america 系列:DHS 包裝:散裝 零件狀態:在售 電容:2700pF 容差:-20%,+80% 電壓 - 額定:40000V(40kV) 溫度系數:Z5U 工作溫度:10°C ~ 85°C 特性:高電壓 等級:- 應用:通用 安裝類型:需要支座 封裝/外殼:圓盤形,金屬配接件 - 有螺紋 大小/尺寸:2.362" 直徑(60.00mm) 高度 - 安裝(最大值):1.673"(42.50mm) 厚度(最大值):- 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 DHSF44D102ZHXB 功能描述:CAP CER 1000PF 20KV Z5V DISK 制造商:murata electronics north america 系列:DHS 包裝:散裝 零件狀態:在售 電容:1000pF 容差:-20%,+80% 電壓 - 額定:20000V(20kV) 溫度系數:Z5V 工作溫度:-20°C ~ 85°C 特性:高電壓 等級:- 應用:通用 安裝類型:需要支座 封裝/外殼:圓盤形,金屬配接件 - 有螺紋 大小/尺寸:1.181" 直徑(30.00mm) 高度 - 安裝(最大值):1.083"(27.50mm) 厚度(最大值):- 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 DIA42B 7W DIA53S72420A DIA53S72450A DIABLO16 DIABVNOTCH DIAGB5 DIAGB6 DIAMOND-E-12M DIAMOND-E-12M-PROMO DIAMOND-I-12M DIART110A DIART220A DIART24A DIART24D DIB01CB235A DIB01CD485A DIB01CM24100A DIBBC2314S21W
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