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DM-LX3

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DM-LX3-1
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號星河world， A棟2203A
43256
Murata Power Solutions In
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

DM-LX3-1
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
77680
Murata Power Solutions In
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

DM-LX3-1
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Murata Power Solutions In
標準封裝
16+
-
假一罰十

1/1頁 40條/頁共3條
1

您是不是要找： DM-LX3-1 DMM1P15K-F DMM1P22K-F DMM1P33K-F DMM1P47K-F DMM1P68K-F DMM1W10K-F DMM1W1K-F DMM1W1P5K-F

DM-LX3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DM-LX3 PDF下載

制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
Single Board Differential LCD 3 Digit Digital Panel Meter

DM-LX3 技術參數

DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包裝:托盤零件狀態(tài):在售電容:35mF 容差:±20% 電壓 - 額定:4.5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:300 毫歐 @ 1kHz 不同溫度時的使用壽命:- 端接:SMD（SMT）凸片安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線引線間距:- 大小/尺寸:0.787" 長 x 0.787" 寬（20.00mm x 20.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.016"（0.40mm）工作溫度:-40°C ~ 85°C 標準包裝:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.62A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerUDFN 供應商器件封裝:DFN3030-8 標準包裝:1 DMM1W2P2K-F DMM1W3P3K-F DMM1W4P7K-F DMM1W6P8K-F DMM2P15K-F DMM2P1K DMM2P1K-F DMM2P22K-F DMM2P33K-F DMM2P47K-F DMM2P68K-F DMM2S68K-F DMM2W1K-F DMM2W1P5K-F DMM2W2P2K-F DMM2W3P3K-F DMM2W4P7K DMM2W4P7K-F