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DMN53D0L-13

配單專家企業名單
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  • 封裝
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  • 操作
  • DMN53D0L-13
    DMN53D0L-13

    DMN53D0L-13

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • NA

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • DMN53D0L-13
    DMN53D0L-13

    DMN53D0L-13

  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 10000

  • DIODES INC.

  • 主營優勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • DMN53D0L-13
    DMN53D0L-13

    DMN53D0L-13

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:苗鳳軍

    電話:17623594308

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 4239

  • DIODES

  • SOT-23

  • 2212+

  • -
  • 十年專營,供應原裝正品!熱賣現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
DMN53D0L-13 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
DMN53D0L-13 技術參數
  • DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.71W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.56W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOP 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.14W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 DMN55D0UT-7 DMN55D0UTQ-7 DMN5L06-7 DMN5L06DMK-7 DMN5L06DMKQ-7 DMN5L06DW-7 DMN5L06DWK-7 DMN5L06K-7 DMN5L06T-7 DMN5L06TK-7 DMN5L06V-7 DMN5L06VA-7 DMN5L06VAK-7 DMN5L06VK-7 DMN5L06VKQ-7 DMN5L06W-7 DMN5L06WK-7 DMN5L06WKQ-7
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