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DMN5L06DMKDICT

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DMN5L06DMKDICT 技術參數
  • DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.71W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.56W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOP 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.14W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 DMN5L06VK-7 DMN5L06VKQ-7 DMN5L06W-7 DMN5L06WK-7 DMN5L06WKQ-7 DMN6013LFG-13 DMN6013LFG-7 DMN6013LFGQ-13 DMN6013LFGQ-7 DMN6017SK3-13 DMN601DMK-7 DMN601DWK-7 DMN601K-7 DMN601TK-7 DMN601VK-7 DMN601VKQ-7 DMN601WK-7 DMN601WKQ-13
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