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DMP21D5UFD-7

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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DMP21D5UFD-7
    DMP21D5UFD-7

    DMP21D5UFD-7

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Diodes

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • DMP21D5UFD-7
    DMP21D5UFD-7

    DMP21D5UFD-7

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/曹先生/周小姐

    電話:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 31897

  • Diodes Incorporated

  • X1-DFN1212-3

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共25條 
  • 1
DMP21D5UFD-7 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
DMP21D5UFD-7 技術參數
  • DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):330mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 200mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:X2-DFN0806-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):54 毫歐 @ 2.5A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN2015H4-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):48.7nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):800mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 6.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:U-DFN2020-6(E 類) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 DMP1555UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.84nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):55.4pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 200mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:X2-DFN0806-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP-1.0 X 1.5 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.500" (38.10mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 類型:2 件 高度 - 總:0.250"(6.35 mm) 長度 - 總:1.000"(25.40mm) 寬度 - 總:1.500"(38.10mm) 通風:實心 安裝類型:焊接式和卡入式 標準包裝:1 DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFO-7B DMP22D6UT-7 DMP22M2UPS-13 DMP2305U-7 DMP2305UVT-7 DMP2540UCB9-7 DMP25H18DLFDE-13 DMP25H18DLFDE-7 DMP26M7UFG-13 DMP26M7UFG-7 DMP3007SCG-13 DMP3007SCG-7 DMP3007SFG-13 DMP3007SFG-7 DMP3007SPS-13 DMP3008SFG-13 DMP3008SFG-7
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