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DRA8C

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DRA8C PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DRA8C 技術參數

DRA74-R33-R 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 7.26A 5.4 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:330nH 容差:±20% 額定電流:7.26A 電流 - 飽和值:18.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:5.4 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm）標準包裝:1 DRA74-8R2-R 功能描述:8.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.66A 40 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:2.66A 電流 - 飽和值:3.17A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm）標準包裝:1 DRA74-821-R 功能描述:820μH Shielded Wirewound Inductor 279mA 3.63 Ohm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:820μH 容差:±20% 額定電流:279mA 電流 - 飽和值:327mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.63 歐姆不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm）標準包裝:1 DRA74-820-R 功能描述:82μH Shielded Wirewound Inductor 879mA 367 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:82μH 容差:±20% 額定電流:879mA 電流 - 飽和值:1.034A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:367 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm）標準包裝:1 DRA74-6R8-R 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 2.91A 34 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:DRA 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:- 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:2.91A 電流 - 飽和值:3.68A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:34 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 165°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.299" 長 x 0.299" 寬（7.60mm x 7.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.171"（4.35mm）標準包裝:1 DRA9115E0L DRA9115G0L DRA9115T0L DRA9123E0L DRA9123J0L DRA9123Y0L DRA9124E0L DRA9124T0L DRA9124X0L DRA9143E0L DRA9143T0L DRA9143X0L DRA9143Y0L DRA9143Z0L DRA9144E0L DRA9144T0L DRA9144V0L DRA9144W0L