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DS1230Y-120INND+

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DS1230Y-120INND+
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
100
DALLAS
DIP
2012+
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只做原裝正品。

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您是不是要找： DS1230Y-150 DS1230Y-150+ DS1230Y-200 DS1230Y-200+ DS1230Y-200IND DS1230Y-200IND+ DS1230Y-70 DS1230Y-70+ DS1230Y-70IND

DS1230Y-120INND+ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DS1230Y-120INND+ 技術參數

DS1230Y-120IND+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230Y-120IND 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230Y-120+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230Y-120 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230Y-100+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數據總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230Y-70IND+ DS1230Y-85 DS1230Y-85+ DS1230YP-100 DS1230YP-100+ DS1230YP-70 DS1230YP-70+ DS1230YP-70IND DS1230YP-70IND+ DS1231-20 DS1231-20/G DS1231-20+ DS1231-20N DS1231-20N+ DS1231-35 DS1231-35/G DS1231-35+ DS1231-35N