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DS135E4B1F

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DS135E4B1F 技術參數(shù)

DS1351-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 2.7A 54 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:54 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.510" 長 x 0.398" 寬（12.95mm x 10.10mm）高度 - 安裝（最大值）:0.201"（5.10mm）標準包裝:1 DS1351-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 800mA 472 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:472 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.510" 長 x 0.398" 寬（12.95mm x 10.10mm）高度 - 安裝（最大值）:0.201"（5.10mm）標準包裝:1 DS1351-1R0M 功能描述:1μH Shielded Inductor 5A 21 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:5A 電流 - 飽和值:5.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:21 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.510" 長 x 0.398" 寬（12.95mm x 10.10mm）高度 - 安裝（最大值）:0.201"（5.10mm）標準包裝:1 DS1351-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 2A 101 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:101 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.510" 長 x 0.398" 寬（12.95mm x 10.10mm）高度 - 安裝（最大值）:0.201"（5.10mm）標準包裝:1 DS1350YP-70IND+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1374C-33# DS1374C-33#T&R DS1374U-18+ DS1374U-3+ DS1374U-3+T&R DS1374U-33 DS1374U-33+ DS1374U-33+T&R DS1375T+ DS1375T+T&R DS1384FP-12 DS1384FP-12+ DS1386-32-120 DS1386-32-120+ DS1386-8-120 DS1386-8-120+ DS1386P-32-120 DS1386P-32-120+