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DS6851

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DS6851 技術參數

DS6630-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.4A 60 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:60 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬（6.60mm x 4.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.115"（2.92mm）標準包裝:1 DS6630-472M 功能描述:4.7mH Shielded Inductor 60mA 25.2 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:4.7mH 容差:±20% 額定電流:60mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:25.2 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬（6.60mm x 4.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.115"（2.92mm）標準包裝:1 DS6630-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 190mA 1.8 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:190mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.8 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬（6.60mm x 4.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.115"（2.92mm）標準包裝:1 DS6630-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 500mA 230 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:500mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:230 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬（6.60mm x 4.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.115"（2.92mm）標準包裝:1 DS6630-1R0M 功能描述:1μH Shielded Inductor 3A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬（6.60mm x 4.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.115"（2.92mm）標準包裝:1 DS72011RB120FPV DS72011RW100FPV DS72060D200FPV DS72060W200FPV DS72611C120FPV DS72611RB120FPV DS72611RP100FPV DS72611RP80FPV DS72612RB120FPV DS72612RP100FPV DS72612RP80FPV DS72613RB120FPV DS72613RP80FPV DS7505S+ DS7505S+T&R DS7505U+ DS7505U+T&R DS75-08B