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DS706TESA

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  • DS706TESA
    DS706TESA

    DS706TESA

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • DALLAS

  • 標準封裝

  • 0815+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • DS706TESA
    DS706TESA

    DS706TESA

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • DALLAS

  • 標準封裝

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  • 全新原裝100%正品保證質量

  • DS706TESA
    DS706TESA

    DS706TESA

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 6543

  • DALLAS

  • SMD

  • 13+

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DS706TESA 技術參數
  • DS6630-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.4A 60 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630,Coev 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):60 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬(6.60mm x 4.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.115"(2.92mm) 標準包裝:1 DS6630-472M 功能描述:4.7mH Shielded Inductor 60mA 25.2 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630,Coev 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:4.7mH 容差:±20% 額定電流:60mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):25.2 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬(6.60mm x 4.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.115"(2.92mm) 標準包裝:1 DS6630-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 190mA 1.8 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630,Coev 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:190mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):1.8 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬(6.60mm x 4.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.115"(2.92mm) 標準包裝:1 DS6630-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 500mA 230 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630,Coev 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:500mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):230 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬(6.60mm x 4.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.115"(2.92mm) 標準包裝:1 DS6630-1R0M 功能描述:1μH Shielded Inductor 3A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS6630,Coev 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.260" 長 x 0.177" 寬(6.60mm x 4.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.115"(2.92mm) 標準包裝:1 DS72611RP80FPV DS72612RB120FPV DS72612RP100FPV DS72612RP80FPV DS72613RB120FPV DS72613RP80FPV DS7505S+ DS7505S+T&R DS7505U+ DS7505U+T&R DS75-08B DS750PED-3 DS750PED-3-001 DS75107BN DS75-12B DS75176BM DS75176BM/NOPB DS75176BMX
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