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EC49120-33B6GL

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    EC49120-33B6GL

    EC49120-33B6GL

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

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  • E-COMS

  • SOT-89

  • 2021+

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  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

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EC49120-33B6GL 技術參數
  • EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):224 毫歐 @ 600mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFDFN 供應商器件封裝:0503(1308 公制) 標準包裝:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.9 歐姆 @ 100mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFDFN 供應商器件封裝:4-ECSP1008 標準包裝:1 EC41/19/12-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態:在售 內核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層 供應商器件封裝:EC 41 x 19 x 12 高度:19.50mm 長度:41.60mm 寬度:11.60mm 直徑:- 標準包裝:300 EC350X 功能描述:GDT 350V 15% 5KA THROUGH HOLE 制造商:epcos (tdk) 系列:EC350X 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - DC 火花放電(標稱值):350V 脈沖放電電流(8/20us):5000A(5kA) 容差:±15% 極數:2 故障短接:無 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向圓柱形 標準包裝:100 EC35/17/10-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態:在售 內核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層 供應商器件封裝:EC 35 x 17 x 10 高度:17.30mm 長度:35.30mm 寬度:9.50mm 直徑:- 標準包裝:480 EC4986-000 EC4987-000 EC4988-000 EC4989-000 EC4990-000 EC4991-000 EC4992-000 EC4993-000 EC4994-000 EC4995-000 EC4996-000 EC4997-000 EC4998-000 EC4999-000 EC4H08C-TL-H EC4H09C-TL-H EC5 20G BTL EC5 500G BTL
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