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EC570216

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  • EC570216-R1
    EC570216-R1

    EC570216-R1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ECISEMI

  • SOP24

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • EC570216-R1
    EC570216-R1

    EC570216-R1

  • 北京杰創宏達電子有限公司
    北京杰創宏達電子有限公司

    聯系人:沈小姐/伊小姐/張先生

    電話:010-61190909

    地址:北京市海淀區安寧莊26號悅MOMA701室

    資質:營業執照

  • 2220

  • ELECTRONIC COMPONENTS INT

  • 原廠原裝

  • 24+

  • -
  • 授權代理商

  • EC570216-R1
    EC570216-R1

    EC570216-R1

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • ECISEMI

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • EC570216-R1
    EC570216-R1

    EC570216-R1

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • ECISIEMI

  • SOP-24P

  • 13+

  • -
  • 全新原裝,現貨,價優!

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
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EC570216 技術參數
  • EC52/24/14-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態:在售 內核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層 供應商器件封裝:EC 52 x 24 x 14 高度:24.20mm 長度:52.20mm 寬度:13.40mm 直徑:- 標準包裝:200 EC4943-000 功能描述:11320000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態:有效 配件類型:載體,線纜和導線標記器 配套使用產品/相關產品:K-Type? 線纜標記 材料:PVC 特性:7 字符長 標準包裝:500 EC4942-000 功能描述:11310000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態:有效 配件類型:載體,線纜和導線標記器 配套使用產品/相關產品:K-Type? 線纜標記 材料:PVC 特性:12 字符長 標準包裝:500 EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):224 毫歐 @ 600mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFDFN 供應商器件封裝:0503(1308 公制) 標準包裝:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.9 歐姆 @ 100mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFDFN 供應商器件封裝:4-ECSP1008 標準包裝:1 EC5833-000 EC5834-000 EC5835-000 EC5836-000 EC5837-000 EC5838-000 EC5839-000 EC5840-000 EC5856-000 EC5875-000 EC5876-000 EC5877-000 EC5878-000 EC5879-000 EC5880-000 EC5881-000 EC5882-000 EC5883-000
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