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ECH-U1H273JB

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  • 封裝
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  • ECH-U1H273JB5
    ECH-U1H273JB5

    ECH-U1H273JB5

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • PANASONIC

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝正品現貨!!

  • ECH-U1H273JB5
    ECH-U1H273JB5

    ECH-U1H273JB5

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • ECH-U1H273JB5
    ECH-U1H273JB5

    ECH-U1H273JB5

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Panasonic Electronic Comp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝

  • ECH-U1H273JB5
    ECH-U1H273JB5

    ECH-U1H273JB5

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 1875

  • PANASONIC

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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ECH-U1H273JB 技術參數
  • ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A,2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):93 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH-U1H332JX5 ECH-U1H333GB5 ECH-U1H333GX5 ECH-U1H333JB5 ECH-U1H333JX5 ECH-U1H391GB5 ECH-U1H391GX5 ECH-U1H391JB5 ECH-U1H391JX5 ECH-U1H392GB5 ECH-U1H392GX5 ECH-U1H392JB5 ECH-U1H392JX5 ECH-U1H393GB5 ECH-U1H393GX5 ECH-U1H393JB5 ECH-U1H393JX5 ECH-U1H471GB5
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