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ECJ-0EC1H030C

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • ECJ-0EC1H030C
    ECJ-0EC1H030C

    ECJ-0EC1H030C

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Panasonic Electronic Comp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
ECJ-0EC1H030C PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • CAP CER 3PF 50V C0J 0402
  • RoHS
  • 類別
  • 電容器 >> 陶瓷
  • 系列
  • ECJ
  • 標準包裝
  • 4,000
  • 系列
  • -
  • 電容
  • 1000pF
  • 電壓 - 額定
  • 50V
  • 容差
  • ±10%
  • 溫度系數
  • X7R
  • 安裝類型
  • 表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 125°C
  • 應用
  • 自動
  • 額定值
  • AEC-Q200
  • 封裝/外殼
  • 0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸
  • 0.079" L x 0.047" W(2.00mm x 1.20mm)
  • 高度 - 座高(最大)
  • -
  • 厚度(最大)
  • -
  • 引線間隔
  • -
  • 特點
  • -
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 引線型
  • -
ECJ-0EC1H030C 技術參數
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態:有效 類型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器,電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長度:- 寬度:- 高度:0.005"(0.13mm) 直徑 - 外部:0.831"(21.10mm) 直徑 - 內部:- 標準包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECJ-0EC1H120J ECJ-0EC1H121J ECJ-0EC1H150J ECJ-0EC1H151J ECJ-0EC1H180J ECJ-0EC1H181J ECJ-0EC1H1R5C ECJ-0EC1H220J ECJ-0EC1H221J ECJ-0EC1H270J ECJ-0EC1H330J ECJ-0EC1H390J ECJ-0EC1H470J ECJ-0EC1H560J ECJ-0EC1H680J ECJ-0EC1H820J ECJ-0EF0J105Z ECJ-0EF1A224Z
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