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ECJ.4B.464.CLA

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  • ECJ.4B.464.CLA
    ECJ.4B.464.CLA

    ECJ.4B.464.CLA

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:高先生/曹先生/周小姐

    電話:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 6254

  • LEMO

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
ECJ.4B.464.CLA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 環(huán)形推拉式連接器 RECEPTACLE W. NUT
  • RoHS
  • 制造商
  • Hirose Connector
  • 產(chǎn)品類型
  • Connectors
  • 系列
  • HR10
  • 觸點類型
  • Socket (Female)
  • 外殼類型
  • Receptacle
  • 觸點數(shù)量
  • 4
  • 外殼大小
  • 7
  • 安裝風(fēng)格
  • Panel
  • 端接類型
  • Solder
  • 電流額定值
  • 2 A
ECJ.4B.464.CLA 技術(shù)參數(shù)
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效 類型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器,電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長度:- 寬度:- 高度:0.005"(0.13mm) 直徑 - 外部:0.831"(21.10mm) 直徑 - 內(nèi)部:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECJ-0EB1A273K ECJ-0EB1A333K ECJ-0EB1A393K ECJ-0EB1A473K ECJ-0EB1A563K ECJ-0EB1A683K ECJ-0EB1A823K ECJ-0EB1C103K ECJ-0EB1C104K ECJ-0EB1C123K ECJ-0EB1C153K ECJ-0EB1C183K ECJ-0EB1C223K ECJ-0EB1C224K ECJ-0EB1C273K ECJ-0EB1C333K ECJ-0EB1C393K ECJ-0EB1C473K
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