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ECJ0EB1C103

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  • ECJ0EB1C103
    ECJ0EB1C103

    ECJ0EB1C103

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 853240

  • PANASONIC

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝正品現貨!!

  • ECJ0EB1C103K
    ECJ0EB1C103K

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  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • PANASONIC

  • 07/08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • ECJ0EB1C103K
    ECJ0EB1C103K

    ECJ0EB1C103K

  • 深圳市金嘉旭貿易有限公司
    深圳市金嘉旭貿易有限公司

    聯系人:

    電話:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 6416

  • PANA

  • N/A

  • 18+

  • -
  • 進口原裝特價出售

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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ECJ0EB1C103 技術參數
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態:有效 類型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器,電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長度:- 寬度:- 高度:0.005"(0.13mm) 直徑 - 外部:0.831"(21.10mm) 直徑 - 內部:- 標準包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECJ-0EB1C393K ECJ-0EB1C473K ECJ-0EB1C562K ECJ-0EB1C563K ECJ-0EB1C682K ECJ-0EB1C683K ECJ-0EB1C822K ECJ-0EB1C823K ECJ-0EB1E101K ECJ-0EB1E102K ECJ-0EB1E103K ECJ-0EB1E121K ECJ-0EB1E122K ECJ-0EB1E151K ECJ-0EB1E152K ECJ-0EB1E181K ECJ-0EB1E182K ECJ-0EB1E221K
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