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ECJ1VB1E333

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市金嘉旭貿易有限公司
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ECJ1VB1E333 技術參數
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態:有效 類型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器,電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長度:- 寬度:- 高度:0.005"(0.13mm) 直徑 - 外部:0.831"(21.10mm) 直徑 - 內部:- 標準包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECJ-1VB1H122K ECJ-1VB1H123K ECJ-1VB1H152K ECJ-1VB1H153K ECJ-1VB1H182K ECJ-1VB1H183K ECJ-1VB1H222K ECJ-1VB1H223K ECJ-1VB1H272K ECJ-1VB1H273K ECJ-1VB1H332K ECJ-1VB1H333K ECJ-1VB1H392K ECJ-1VB1H393K ECJ-1VB1H472K ECJ-1VB1H473K ECJ-1VB1H562K ECJ-1VB1H682K
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