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EPC2LC20-

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EPC2LC20-U
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集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
12552
GLOBESPAN
PLCC
22+
-
原廠原裝現貨

EPC2LC20-T
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
8000
ALTERA
PLCC
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授權分...

EPC2LC20-T
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ALTERA
PLCC
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

EPC2LC20-T
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ALTERA
原廠封裝
0519+
-

EPC2LC20-T
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ALTERA
原廠封裝
0519+
-
全新原裝100%正品保證質量

EPC2LC20-U
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
100
ALTERA
PLCC20
2012+
-
只做原裝正品

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EPC2LC20- PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

EPC2LC20- 技術參數

EPC2LC20 功能描述:FPGA-配置存儲器 IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存儲類型:Flash 存儲容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC2818 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2815 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2801 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100 EPC8QI100N