欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > E字母型號搜索 >

EPC8010TENGR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100 EPC8QI100N EPC9001 EPC9001C EPC9002 EPC9002C EPC9003

EPC8010TENGR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

EPC8010TENGR 技術(shù)參數(shù)

EPC8010ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC8010 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC8009ENGR 功能描述:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):過期 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:65V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:138 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.38nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:47pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC8009 功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:65V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.45nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:52pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC8008ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:325 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC9003C EPC9004 EPC9004C EPC9005 EPC9005C EPC9006 EPC9006C EPC9010 EPC9010C EPC9013 EPC9014 EPC9016 EPC9017 EPC9018 EPC9019 EPC9022 EPC9023 EPC9024