欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > E字母型號搜索 >

EPC8820ARC208-

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

EPC8820ARC208-3
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
ALTERA
QFP
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質量

EPC8820ARC208-3
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
ALTERA
QFP
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質量

EPC8820ARC208-3
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
聯系人：李小姐/肖先生
電話：0755-8257149682571956
地址：賽格廣場69樓6900
資質：營業執照
14875
ALTERA
QFP
21+
-
★假一賠十!絕對原裝現貨市場最低價！★

1/1頁 40條/頁共3條
1

您是不是要找： EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100 EPC8QI100N EPC9001 EPC9001C EPC9002 EPC9002C EPC9003

EPC8820ARC208- PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

EPC8820ARC208- 技術參數

EPC8010ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC8010 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC8009ENGR 功能描述:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:過期 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:65V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:138 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.38nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:47pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC8009 功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:65V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.45nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:52pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC8008ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:325 毫歐 @ 500mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC9003C EPC9004 EPC9004C EPC9005 EPC9005C EPC9006 EPC9006C EPC9010 EPC9010C EPC9013 EPC9014 EPC9016 EPC9017 EPC9018 EPC9019 EPC9022 EPC9023 EPC9024